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 線缺陷的特征是在兩個方向的尺寸很小、另一個方向的尺寸相對很大。晶體中的線缺陷主要指各類位錯,位錯是指在晶體中有一列或若干列原子發生了有規律的錯排現象。錯排區是線性的點陣畸變區,長度可達幾百至幾萬個原子間距 (共 746 字) [閱讀本文] >>
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 線缺陷的特征是在兩個方向的尺寸很小、另一個方向的尺寸相對很大。晶體中的線缺陷主要指各類位錯,位錯是指在晶體中有一列或若干列原子發生了有規律的錯排現象。錯排區是線性的點陣畸變區,長度可達幾百至幾萬個原子間距 (共 746 字) [閱讀本文] >>