三安光電股份有限公司

企業簡介

　　三安光電有限公司，承擔著國家“863”重大課題，擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業技術中心。公司坐落于廈門國際會展中心北側，占地面積5萬平方米，是一座現代化花園式工廠。

　　公司主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片，化合物太陽能電池、PIN光電探測器芯片等的研發、生產與銷售，產品性能指標居國際先進水平。公司以打造擁有獨立自主知識產權的民族高科技企業為已任，以創建國際一流企業為愿景。擁有1000級到10000級的現代化潔凈廠房，千余臺(套)國內外最先進的LED外延生長和芯片制造設備，在天津三安三期擴產完畢之時，MOCVD總數將達到100臺以上，其規模為國內第一名，國際前十名。已實現年產外延片65萬片，芯片200億粒的生產規模。

　　公司擁有由美國，臺灣、日本及國內光電技術頂尖人才組成的高素質專家團隊。公司已申請及獲得60多項發明專利及專有技術。公司嚴格按照國際質量管理體系及國際環境管理體系標準進行全員、全方位、全過程的運作，并于2003年通過了ISO9001：2000質量體系認證，2008年通過ISO14001：2004環境管理體系認證，計劃2009年通過ISO/TS16949汽車行業生產件與相關服務件質量管理體系的審核。

　　三安光電(3張)

上市資料

　　公司名稱：三安光電股份有限公司

　　英文名稱：Sanan Optoelectronics Co.,ltd

　　證券簡稱：三安光電

　　證券代碼：600703

　　法人代表：林秀成

　　證監會行業分類：電子

　　證券類別：上海A股

　　上市日期：1996-05-28

企業精神

　　三安光電秉持以“誠信團結、開拓創新、克難制勝、勇攀高峰”為企業精神，以“務實、創新，客戶第一，服務至上”為經營理念。

　　作為國家高技術產業化示范工程、國家人事部批準的企業博士后科研工作站,三安光電擁有世界最先進的儀器設備和高標準的生產環境，聚集了一批國內、外一流的LED生產技術專家。擁有由美國、日本、臺灣和國內光電技術頂尖人才組成的高素質研發團隊，研發能力居國內前列，到目前為止，已申請及獲得33項發明專利及專有技術。

　　三安光電堅持以質量求生存，以創新謀發展，勇于開拓、不斷創新。產品更新換代的步伐緊跟國際潮流，具有自主知識產權的多項技術填補了國內空白。公司的產品主要有全色系超高亮度LED外延片、芯片、PIN光電探測器芯片、化合物太陽電池等。各項性能指標均名列國內第一，國際先進水平。

　　經過幾年來不斷的拓展與完善，三安光電已建立了成熟的市場營銷體系，營銷團隊精練實干，營銷網絡遍布全球，產品出口至多個國家和地區，受到國內、外客戶的一致好評。銷售業績以每年平均40%的增長比率遞增。

產品

　　公司主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片，化合物太陽能電池、PIN光電探測器芯片等的研發、生產與銷售。公司擁有由美國、臺灣、日本及國內光電技術頂尖人才組成的高素質專家團隊，已申請及獲得48項發明專利及專有技術，產品性能指標居國際先進水平。

　　超高亮度LED是新一代的節能照明產品，其具有高效節能、壽命長、綠色環保（高效節能：耗電量是白熾燈的1/10，熒光燈的1/2；長壽命：10萬小時；綠色環保：無輻射，不含鉛、汞等有害元素）三大優勢廣泛應用于景觀照明、背光源、汽車燈、交通信號燈、廣告看板、室內外全彩顯示屏等領域。

　　半導體技術孕育著一場新的產業革命——新型光源革命。其標志是半導體燈將逐步取代白熾燈及熒光燈。據國內專業咨詢機構統計預測：2006年我國LED產值為140億元，隨著國內LED產業的快速發展，預計到2008年我國LED應用市場規模將達到540億元，到2010年將超過1000億元。

企業文化

三安企業文化

　　三安企業文化是三安長期發展中形成的文化，是企業增長的力量源泉，是企業取得成功的土壤。只有把文化融入企業，塑造企業形象，光大企業精神，企業才有輝煌的未來。

三安精神

　　敢為人先，拼搏奉獻。

價值觀

　　以人為本、科技創新、追求卓越、和諧共贏

經營理念

　　人無我有、人有我精、追求卓越、基業長青

服務宗旨

　　誠信高效、客戶第一、服務至上

質量方針

　　品質為先、顧客滿意、優質穩定、不斷提高

公司使命

　　讓地球更環保，讓人類更健康

公司愿景

　　引領“芯”潮流、奉獻新能源

企業人才觀

　　不拘一格舉人才、綜合發展育英才、聚合內力輔良才、以人為本用賢才。

招聘口號

　　促我發展，助您成長！

培訓口號

　　您的成長取決于您的投入！

企業榮譽

　　2003年公司被國家科技部列入國家半導體照明工程龍頭企業；

　　2003年被航天航空部確認為“戰略合作伙伴”；

　　2004年公司技術中心被確認為省級企業技術中心；

　　2004年被推選為廈門市光電子行業協會會長單位;

　　2004年被推選為中國光電子器件協會副理事長單位；

　　2004年被推選為國家半導體照明工程研發及產業聯盟常務理事單位等；

　　2006年被國家人事部正式批準設立博士后科研工作站，開展博士后科研工作；

　　2007年被國家發改委認定為“國家高技術產業示范工程”單位；

　　2008年被推選為福建省光電子行業協會會長單位；

　　2008年公司技術中心被確認為國家級企業技術中心；

　　2009年公司被認定為廈門市知識產權示范單位；

　　2009年公司被命名為國家級引智示范單位。

大事記

　　2011年6月“中國LED行業年度評選(2010)”評選活動由中國電子報社、中國光協LED器件分會、中國光協LED顯示應用分會等共同組織，范圍涵蓋所有LED外延、芯片、封裝器件、應用工程等產業領域。三安光電憑借領先的創新水平、雄厚的技術力量、迅猛的發展速度和2010年的良好業績，榮獲“2010中國LED行業最具成長性企業獎”。

　　2011年4月公司用于“TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片”項目榮獲2010年度廈門市科技進步獎一等獎，同時該項目產品“S-23ABMUP系列背光源用LED芯片”榮獲2010年度廈門市優秀新產品獎一等獎。

　　為進一步加快三安光電品牌建設，提高公司影響力，受廈門市政府，廈門市貿發局，廈門市商業聯合會邀請，三安光電于10月19日至10月24日期間參加了第七屆中國-東盟博覽會。

　　2010年9月27日，2010年三安光電新產品推介暨新聞發布會在深圳凱賓斯基酒店成功舉行。本次推介會得到了行業內部的廣泛關注，共有120多家客戶代表前來參加。

　　2010年1月：安徽三安光電有限公司成立。

　　2009年11月：公司“RS-B1超高亮度功率紅色發光二極管芯片”通過新產品專家鑒定，認定為屬國內首創，產品主要性能達到國際水平。

　　2009年11月：我司“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發及產業化”項目榮獲廈門市科學技術獎二等獎。

　　2009年11月13日：我司功率型紅色芯片通過新產品鑒定。

　　2009年9月：我司榮獲TS16949：2002認證注冊。

　　2009年8月：我司承擔的“半導體照明器件研發及產業化”項目被信息產業部列入2009年信息產業發展基金重點支持項目。

　　2009年3月：我司承擔的2006年度國家發改委企業技術進步與產業升級專項項目“功率型半導體全色系芯片產業化”通過驗收。

　　2009年2月12日：我司的主要產品“S-RGB07全色系超高亮度LED芯片”榮獲福建省優秀新產品一等獎。

　　2008年12月：天津三安光電有限公司成立。

　　2008年12月8日：我司承擔的“用于TFT-LED背光源的超高亮度LED芯片產業化”項目被國家發改委列入2008年第四批產業技術研發資金高技術產業發展項目計劃。

　　2008年11月：我司承擔的“液晶顯示屏背光源用超高亮度半導體紅色發光二極管（LED）芯片研發及產業化” 項目被信息產業部列入2008年信息產業發展基金重點支持項目。

　　2008年10月：公司技術中心被授予“國家級企業技術中心”稱號。

　　2008年8月：榮獲ISO14001：2004環境管理體系認證證書。

　　2008年7月：公司在國內A股成功上市。

　　2008年1月：我司被廈門市人民政府授予“廈門市2007年度十佳工業企業”榮譽稱號。

　　2007年11月：我司“S--RGB07全色系超高亮度(紅、橙、黃、藍、綠)LED芯片”產品通過廈門市經發局組織的新產品、新技術專家鑒定，鑒定結論認定我司擁有的“襯底轉移的紅光功率型LED”產品為國內首創，填補國內空白。

　　2007年10月：我司被國家發改委授予“國家高技術產業化示范工程”稱號。

　　2007年3月：日本學者大川和宏博士受聘為我司技術顧問。

　　2006年12月：公司承擔的“100lm/W功率型白光LED制造技術”項目被國家科技部確定為國家高技術研究發展計劃（863計劃）課題。

　　2006年11月：公司承擔的“功率型半導體全色系芯片產業化”項目被國家發改委列入“國家2006年信息產業企業技術進步和產業升級專項項目”。

　　2006年7月：公司“功率型高亮度LED芯片及倒裝技術”項目通過專家鑒定，鑒定結果為：產業化技術指標達到國內領先水平。

　　2006年5月：公司被國家人事部正式批準設立博士后科研工作站，開展博士后科研工作。

　　2006年4月：公司“氮化鎵基發光二極管外延片和芯片的研制及產業化”項目通過專家鑒定。鑒定結果為：產業化規模達到國內最大，質量穩定可靠，技術指標達到國內領先。

　　2005年12月：公司“十五”國家科技攻關計劃項目“半導體照明產業化技術開發”重大項目全面通過國家科技部組織的專家驗收。

　　2005年11月：公司“氮化鎵基發光二極管外延片及器件制備”項目被認定為廈門市高新技術成果轉化項目。

　　2005年6月：公司“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發與產業化“項目被國家科技部列入2005年國家火炬計劃項目。

　　2005年3月：公司“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發及產業化”項目被列入2005年福建省十大重點投資項目。

　　2004年11月：“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發及產業化”項目被國家信息產業部列入2005年信息產業基金重點支持項目。

　　2004年9月：公司榮為中國光電子器件協會副理事長單位。

　　2004年8月：公司技術中心被福建省經濟貿易委員會授予“省級企業技術中心”稱號。

　　2004年8月：多結化合物太陽電池通過中國航空科技集團公司上?？臻g電源研究所的測試和使用，填補了國內空白。

　　2004年2月：公司被確認為廈門市重點高新技術企業。

　　2003年10月：國家半導體照明產業聯盟授予公司“半導體照明工程龍頭企業”的稱號。

　　2003年10月：公司在第十四屆全國發明展覽會上，《一種制作氮化鎵發光二極管芯片N電極的方法》與《一種發光二極管外延結構》分別榮獲發明銀獎和銅獎。

　　2003年9月：公司研制出的具有我國獨立知識產權的LED芯片，打破了過去LED芯片全部依靠進口的歷史。

　　2003年9月：公司技術中心被授予“市級企業技術中心”稱號。

　　2003年4月：公司承擔的“氮化鎵基發光二極管外延片和器件制備”項目，被列入國家發改委2003年光電子、新型元器件專項高技術產業化示范工程。

　　2003年2月：榮獲ISO9001：2000質量管理體系認證證書。

　　2003年1月：公司通過全色系超高亮度LED芯片科技成果鑒定，成為國內首家實現全色系超高亮度發光二極管芯片的生產廠家。

　　2002年9月：公司第一片外延片成功問世。

　　2000年12月：公司被確認為廈門市高新技術企業。

　　三安光電40億項目投建進程

　　2013年3月15日，三安光電發布公告，決定終止公司公開增發A股股票方案。

　　公告稱，由于市場環境發生了變化，結合公司情況，經公司與保薦機構平安證券商議，決定終止公司本次公開增發A股股票方案，并向證監會申請撤回公司本次公開增發A股股票方案的申請文件。

　　但在公告中，三安光電并未提及此次增發方案的具體內容，更未提及此次募資計劃投資項目。

　　中國產業洞察網數據顯示2011年5月6日，三安光電公布公開增發不超過21000萬股A股的方案，募集資金總額不超過80億元（含發行費用），全部用于安徽三安光電有限公司蕪湖光電產業化（二期）項目和安徽三安光電有限公司LED應用產品產業化項目，兩項目合計總投資約為91.25億元。其中蕪湖二期為50億元。

　　3個月后，三安光電再發公告稱，根據證券監管部門審核反饋意見，對上述增發金額下調為總額不超過63億元，擬投入蕪湖二期的募集資金也縮水至40億元盡管如此，該增發方案遲遲未有實質性進展。

　　擴張效果尚待市場檢驗

　　較之兩年前，三安光電身處的LED上游產業愈發過剩，利潤式微。有業內人士猜測，三安光電主動放棄增發募資、放緩新項目上馬的舉措，或許有這方面的考慮。

　　但王慶在采訪中否認了上述猜測，他表示市場還有很大的空間。但蕪湖二期的擱淺對公司將產生怎樣的影響，王慶未予正面回答，稱公司業績將在財報中體現。

　　根據三安光電2012年年報，公司2012年實現營收33.63億元，較之上年同比大增92.48%；實現凈利8.10億元，較之上年同比下降13.47%。另外，其主營業務LED毛利率為25.31%，同比下滑14.36%。

　　據其年報，安徽三安光電有限公司蕪湖光電產業化 （一期）項目（以下簡稱蕪湖一期）購置的MOCVD設備已投入生產，雖然獲得了一定的經濟效益，但由于大部分設備于2012年逐步投產，達到滿產尚需一個過程，待產能完全釋放，規模效應充分發揮，公司業績將會逐步得到體現。而2013年一季度，三安光電凈利同比下降18.77%。

　　趙飛表示，三安光電在國內LED外延片領域頗具實力，但當下產能過剩顯現，盲目擴張恐暗藏風險。

　　前述業內人士表示，蕪湖一期逐漸釋放出來的產能對未來三安光電的業績貢獻將進一步增大，在嘗到甜頭之后，三安光電對蕪湖二期的渴望亦在情理之中。

領先科技

　　公司擁有由美國、臺灣、日本及國內光電技術頂尖人才組成的高素質專家團隊。公司已申請及獲得54項發明專利及專有技術,承擔著國家“863”重大課題，擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業技術中心。

　　1． 2003年1月通過全色系超高亮度LED芯片科技成果鑒定，鑒定結論為：項目硬件水平屬國內一流，等同于國際當代水平、項目產業化水平居國內最高水平，并接近國際先進水平、產品主要技術指標屬國內領先，特別是超高亮度綠光LED外延片的研制成功及產業化屬填補國內空白。被評定為國內首家實現該項目產業化的生產廠家，產品質量穩定可靠，；

　　2． 2003年4月公司的“氮化鎵基發光二極管外延片和器件制備項目”被國家發展改革委列入2003年光電子、新型元器件專項高技術產業化示范工程；

　　3．2003年6月“高亮度藍光LED產品及應用”項目被列入信息產業部2003年度電子信息產業發展基金項目；

　　4．2004年3月“功率型高亮度發光二極管及封裝產業化關鍵技術”項目被列入“十五”國家科技攻關計劃重大項目中“半導體照明產業化技術開發”攻關項目；

　　5．2004年11月“半導體照明高亮度功率白光二極管芯片開發及產業化”項目被國家信息產業部列入2005年信息產業基金重點支持項目；

　　6．2006年11月我司承擔的“功率型半導體全色系芯片產業化”項目被國家發改委列入“國家2006年信息產業企業技術進步和產業升級專項項目”；

　　7．2006年12月我司承擔的“100lm/W功率型白光LED制造技術”項目被國家科技部確定為國家高新技術研究發展計劃（863計劃）課題；

　　8．2007年技術中心承擔的“用于TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片產業化”項目被列入國家發改委重大產業科技項目；

　　9．2008年“液晶顯示屏背光源用超高亮度半導體紅色發光二極管（LED）芯片研發及產業化”項目被信息產業部列入2008年重點招標項目；

　　10．2008年承擔并主導了由市科技局組織的市重大科技計劃聯合項目“高效半導體照明關鍵技術及其應用產業化”，攻克實現功率型白光發光效率達到80lm/w的產業化國內最高水平。

　　11．2009年“半導體照明器件研發及產業化”項目被信息產業部列入2009年重點招標項目。