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薄膜太陽能電池 共有 258 個詞條內容

1.1 概論

    為了大幅度地降低現有晶體硅太陽能電池的成本,需要減小典型太陽能電池結構中高純硅的材料使用量。晶體硅太陽能電池中,多數晶體硅材料對太陽能電池只是作為機械載體,大部分的光吸收只發生在最多30μm的區域內。當使用一定的...[繼續閱讀]

薄膜太陽能電池

1.2.1 熱輔助化學氣相沉積

    對于外延晶體硅薄膜太陽能電池,最廣泛研究的沉積技術是熱輔助化學氣相沉積(ThermallyAssistedChemicalVaporDeposition,TA-CVD),其原理是Si前驅物和摻雜氣體(dopinggas或dopantgas)在加熱的Si表面上發生熱輔助的非均勻分解。自從20世紀70年代,TA-CV...[繼續閱讀]

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1.2.2 液相外延和電鍍

    溶液生長(SolutionGrowth,SG)在基理上不同于化學氣相沉積CVD,使用液體介質而不是氣體環境作為前驅物來源,當SG應用于在晶體襯底上生長外延層,也被稱為液相外延LPE[31]。在SG中,Si的生長出于金屬熔體(melt),典型金屬熔體為Sn或In,有時使用...[繼續閱讀]

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1.2.3 近空間氣相輸運

    作為另一種外延層制備技術,近空間氣相輸運(closespacevaportransport,CSVT)具有較高的化學效率(chemicalefficiency),而化學效率是指固體薄膜的Si生長量和Si供應量的比例[40,41]。雖然CSVT技術在20世紀60年代就被了解[42],但是CSVT最近被美國國家可...[繼續閱讀]

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1.2.4 離子輔助沉積

    離子輔助沉積(IonAssistedDeposition,IAD)基于電子槍蒸發(ElectronGunEvaporation,EGE)和Si的部分離子化(partialionization)[43],如圖1.7所示。外加電壓(externalvoltage或appliedvoltage)會加速Si離子向襯底的運動。典型的加速電壓(accelerationvoltage)為20V,這在單晶...[繼續閱讀]

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1.2.5 等離子體增強化學氣相沉積和電子回旋共振化學氣相沉積

    除了加速離子,等離子體技術也可以提供外加能量,增加表面遷移率,用低溫沉積方法實現高質量的外延生長。通過低能量的等離子體增強化學氣相沉積(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD),含有低能量離子的高電流等離子體放電可以產生...[繼續閱讀]

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1.3.1 絨面襯底上的外延生長

    第一種增加外延層的光吸收技術是在外延生長之前,運用化學方法在襯底上制絨(texturing)。但是,這種技術仍然有缺點。外延生長形成的小平面(facet)會使絨面(texturedsurface)結構變得平坦,從而減小絨面工藝的有效性。而且,由于外延生長...[繼續閱讀]

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1.3.2 硅鍺合金

    一種直接增加短路電流密度(shortcircuitcurrentdensity,Jsc)的技術是用Si和Ge的合金(alloy)增加晶體硅薄膜太陽能電池的吸收系數。SiGe合金的較小帶隙可以增加電池的紅外光吸收,但是會同時減小太陽能電池的開路電壓Voc。在晶體硅太陽能電...[繼續閱讀]

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1.3.3 量子點太陽能電池

    為了避免弛豫后SiGe層厚度超過臨界厚度形成的結晶缺陷,最近有人提出并測試了其他方法。一種方法是用SK生長(Stranski-Krastanovgrowth),將生長的Ge層嵌入Si晶體矩陣(crystalmatrix),形成三維的島(island)。嵌入的Ge層會增加電池基極的紅外光吸...[繼續閱讀]

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1.3.4.1 多孔硅中間層

    電化學蝕刻(electrochemicaletching)是較好的制備多孔硅技術,可以形成多重布拉格反射鏡(multipleBraggreflector),應用于光學諧振腔(opticalresonantcavity)??梢酝ㄟ^孔隙率(porosity)控制多重布拉格反射鏡層的折射率,而孔隙率由電化學蝕刻的電流密...[繼續閱讀]

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