面心立方金屬中擴展位錯分類如表5-9。表5-9面心立方晶體中的擴展位錯1.切變滑移型層錯及不全位錯分析面心立方晶體的層錯面為{111},表5-10給出了這類擴展位錯分析的實例。它很好地說明了:(1)分析擴展位錯時需將不全位錯和層錯的...[繼續閱讀]

    層錯能是形成單位面積層錯所需之能量,單位是10-7J/cm2,記作γ。有時定義為形成單位面積層錯給系統增加之能量。系統能量增加是由于層錯破壞了晶體的正常周期性,使電子發生額外散射。但層錯僅破壞原子的次近鄰關系,沒有破壞最...[繼續閱讀]

    1.弱束成像的衍射原理位錯導致晶體畸變,表現為位錯芯區附近的晶面發生旋轉和此處反射面間距的微小改變。而成像時畸變中心晶體旋轉的作用是主要的,它影響芯區附近滿足布拉格條件的情況,而局部晶面間距的改變,作用十分有限...[繼續閱讀]

    1.操作步驟實用中有g/4g、g/3g、g/2g等弱束暗場像,和-g/+g對稱弱束明場像等類型的弱束像。它們的成像反射相對于厄瓦球的位置,如圖5-15所示。以g/3g為例,說明其操作步驟:(1)成像模式下,選擇感興趣的視場移至屏中心,轉至衍射模式,微傾...[繼續閱讀]

    界面(包括晶界與相界)和表面(它也是一種界面,即固/氣相界面)的研究,是近代材料科學研究的前沿熱點之一?？茖W研究和工程應用實踐均表明:材料的物理性能(如電磁性能、光學性能)、力學性能(如強度、塑性與斷裂韌性)以及化學和...[繼續閱讀]

    晶界位錯模型最早由Burgers[51]于1939年和Bragg[52]于1940年提出來的。隨后經過Frank[49]于1950年和Bilby[50]于1955年的發展,得以逐步完善。但是位錯模型只適用于小角晶界。對于大角晶界,按照這個模型,位錯密度勢必高到使位錯芯區發生重疊...[繼續閱讀]

    設想結構相同但取向不同的相鄰兩個晶體,按各自的點陣周期相向擴展,或者說同一晶體的一部分相對于另一部分,以某一晶體學方向為軸,轉動一個角度,此時兩者將彼此貫穿,在貫穿區,兩種點陣的原子將按一定規律周期地出現在位置相...[繼續閱讀]

    O—點陣(O—Latice)的“O”,理解為英文“Origin”的原點之意,它是CSL點陣的一種擴充。從構成CSL點陣的圖形中,如圖6-6,可以看到除實線圍成的CSL點陣外,還可以看到分布其中的許多位置如“P”點(只是說位置,此處不一定有陣點),其周圍有...[繼續閱讀]

    參看圖6-8,將簡單立方點陣的(001)晶面繞[001]軸旋轉28.1°,轉動前陣點如黑點所示,轉動后陣點如圈點所示。于是構成了如圖所示蹬以粗實線構成的CSL點陣,∑=17。仔細觀察新的重位點陣中,原始的黑點和轉動終止后的位置(圈點)又都落在一...[繼續閱讀]

    在對大角晶界的原子模擬研究中,發現在界面的一定范圍內(通常是幾個原子層內),不論是對稱傾斜晶界或非對稱傾斜晶界,原子的堆垛形成了一定的三維結構的多面體排列,這種多種體總是7種Bernal多面體之一(圖6-10)。形成晶界時的轉軸...[繼續閱讀]