SiC MOSFET測試系統設計與開關特性分析

摘要： 以碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)為代表的第3代半導體功率器件因其優異的開關特性,在新能源等領域被廣泛應用,但面對高速開關耦合寄生參數所產生的負面效應,使得測試系統難以快速、準確評估其開關瞬態等相關參數。首先,根據改進的雙脈沖模型設計了一種高精度測試系統,硬件主要包括功率測試板、集成脈沖發生器的控制板及驅動板,軟件主要利用Keil編寫控制板程序,La... （共4頁）