氧分壓對a-Ga2O3基日盲紫外光電探測器性能的影響研究
摘要： 非晶氧化鎵(a-Ga
2O
3)基日盲紫外光電探測器的性能與a-Ga
2O
3薄膜內的氧空位有關，氧空位的濃度制約著探測器的響應度和響應速度。為了在探測器的響應度和響應速度之間達到平衡，本文通過微調射頻磁控濺射過程中的氧分壓，調控薄膜內的氧空位濃度，并在此基礎上成功制備金屬-半導體-金屬(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探測器。研究結果顯示... （共10頁）
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