基底均勻摻雜下 EBCMOS 空間分辨率的影響因素研究

摘要： 電子轟擊互補金屬氧化物半導體(EBCMOS)是一種結合電子束轟擊和CMOS技術的先進成像技術。為提升EBCMOS的成像質量，獲得高分辨率的EBCMOS微光成像器件，對EBCMOS電子倍增層結構均勻摻雜下的空間分辨率的影響因素進行了研究。依據載流子傳輸和復合理論結合蒙特卡洛方法，建立了EBCMOS中電子倍增層內空間分辨率理論計算模型。模擬分析了在基底均勻摻雜下基底厚度、基底摻雜濃... （共8頁）