TRISO顆粒SiC層納米力學行為的分子動力學模擬

摘要： 三元結構各向同性（TRISO）顆粒碳化硅（SiC）層在輻照和高溫考驗后會發生晶粒的相變、斷裂和異常長大等現象，這些SiC層的力學行為對TRISO顆粒的安全性研究非常重要。本文采用分子動力學模擬研究SiC層的納米力學行為和性能。根據實驗現象構建了4種典型SiC層結構：服役前3C-SiC、輻照考驗后3C-SiC、高溫考驗后6H-SiC、高溫+輻照考驗后6H/3C-SiC，并通過載荷... （共9頁）