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SiC MOSFET柵極可靠性研究

電力電子技術 頁數： 6 2024-12-20
摘要： 柵極可靠性一直是SiC MOSFET芯片所面臨的重要問題,主要體現在高溫柵偏所導致的閾值電壓退化。如何提升SiC MOSFET芯片的閾值電壓穩定性,需要展開系統而深入研究。從柵氧氮化和后道工藝出發,研究了氮化退火過程對柵氧界面態密度(D_(it))、溝道電子遷移率(μ)與柵極負柵壓可靠性的影響機理。通過μ與負偏壓溫度應力(NBTS)導致的轉移特性漂移量(ΔU_(th))的折中關... （共6頁）

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