基于GOOSE-VMD的GaN HEMT器件應力波檢測與分析

摘要： 第三代功率半導體器件—氮化鎵高電子遷移率晶體管器件(GaN HEMT)以其耐壓耐溫的優異特性在電力電子與通訊電子領域廣泛應用。GaN HEMT器件通常工作在高溫大功率等嚴苛的外部條件下，為了避免其突然失效對電力電子設備的正常運行產生影響，對其進行主動實時的狀態檢測有著極其重要的意義。通過在不同溫度和漏源電壓條件下設計并進行重復性實驗，提取分析GaN HEMT器件開通和關斷瞬間產... （共10頁）