高溫高應變下Cu/Ta界面擴散行為的分子動力學模擬

摘要： 采用銅互連的三維集成技術是提高微電子器件性能的一種很有前景的方法。然而,由于銅易擴散到硅電子器件中,導致其性能降低甚至失效,而鉭(Ta)憑借穩定的化學性能常被作為阻擋層應用在工程中。為探究Cu/Ta體系的擴散行為,采用分子動力學方法,分別研究了溫度和應變耦合作用下對Cu/Ta體系擴散的影響,通過對單晶結構和多晶結構的分析,厘清了兩者擴散機理。在溫度作用下,經過10ns的保溫,僅... （共10頁）