
 間接復合(見圖3.5)還包括以半導體材料晶體結構缺陷為復合中心的情況。晶體結構缺陷包括空位、位錯、晶界和表面,它們會在禁帶中產生能級,包括深能級(靠近禁帶中心的能級),從而成為間接復合的中心,同樣有促進載流子復合,降低 (共 941 字) [閱讀本文] >>
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 間接復合(見圖3.5)還包括以半導體材料晶體結構缺陷為復合中心的情況。晶體結構缺陷包括空位、位錯、晶界和表面,它們會在禁帶中產生能級,包括深能級(靠近禁帶中心的能級),從而成為間接復合的中心,同樣有促進載流子復合,降低 (共 941 字) [閱讀本文] >>