將交流電壓通過整流濾波電路及DC-DC開關變換器,并借助反饋環節得到穩定直流輸出電壓的開關型穩壓電路。其原理框圖如圖所示。圖中輸入和輸出端都加有噪聲濾波器。電容濾波全波整流電路中,開機時有一大的充電電流流過整流管...[繼續閱讀]

    國際單位制(SI)中電流的單位。安培簡稱安,符號是A。它是國際單位制的基本單位之一(見電學和磁學量單位制),也是磁動勢的單位。在真空中,截面積可忽略的兩根相距1m的無限長平行圓直導線內通以等量恒定電流時,若導線間相互作用...[繼續閱讀]

    磁動勢的單位。在磁路計算的一些場合,磁動勢用線圈的匝數與線圈中電流的安培數的乘積來表示。國際單位制(SI)中電流的單位是安培,因此電氣工程中以安匝作為磁動勢的單位。...[繼續閱讀]

    絕緣間隙在多次施加沖擊電壓時,其中半數導致擊穿的電壓。用于衡量絕緣間隙的絕緣強度。要使絕緣間隙擊穿,需要加足夠高的電壓以及足夠長的電壓作用時間。絕緣間隙擊穿的放電時間包括電壓上升達到穩態擊穿電壓所需的時間和...[繼續閱讀]

    表征均勻電場氣體間隙的擊穿電壓與間隙距離、氣壓之間的關系。該定律說明在均勻電場下,氣體間隙的擊穿電壓Ub只與間隙氣壓p和距離d的乘積pd有關,即Ub＝f(pd)(1)式(1)表示的曲線稱為巴申曲線。1880年W.德拉路(W.delaRue)和H.W.米勒(H.W...[繼續閱讀]

    利用先進的科學技術、辦公設備和計算機系統,為提高辦公效率而構成的服務于辦公業務的人機信息系統。它綜合運用計算機技術和通信技術,將數據、文字、圖形、圖像和語音等功能組合在一個系統中,完成各項辦公業務,其目的是改...[繼續閱讀]

    導電能力介于金屬導體和絕緣體之間的固體材料。通常規定在室溫下,電阻率的數量級為10-6～108Ω·m,而且電阻率值強烈地受到材料的結構和摻雜狀況以及周圍環境(溫度、電場、磁場、光照、壓強、核輻射等)影響的固體材料為半導體...[繼續閱讀]

    用半導體大規模集成存儲器芯片作為存儲媒體的,能對數據信息進行存取的存儲器件。多用作計算機可尋址存儲器。20世紀70年代以來,它逐步取代磁芯存儲器而在計算機的高速存儲方面得到廣泛應用。根據功能特性,半導體存儲器可分...[繼續閱讀]

    具有兩個電極和不對稱電流-電壓特性的半導體器件。它的主要特點是具有單向導電性。所用的材料有硅、鍺和化合物半導體。利用不同的材料、摻雜濃度、幾何結構,可以制成不同用途、特性各異的半導體二極管,如半導體整流二極...[繼續閱讀]

    在電路中工作在開關狀態的半導體二極管。由于它用于開關電路,要求它的開關速度快。二極管的開關速度取決于結電容上存儲電荷的建立或消失的速度。低頻整流管因PN結面積大,結電容大,故存儲電荷多,由正向導通到反向截止的反...[繼續閱讀]