用半導體材料制成的將射線能量轉換成電信號的射線探測器。它實質上是在一塊半導體材料上設置一個陰極(高摻雜的P+層)和一個陽極(高摻雜的N+層)構成的較大體積的晶體二極管(約0.01~200cm3)。入射粒子進入半導體探測器后...[繼續閱讀]
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用半導體材料制成的將射線能量轉換成電信號的射線探測器。它實質上是在一塊半導體材料上設置一個陰極(高摻雜的P+層)和一個陽極(高摻雜的N+層)構成的較大體積的晶體二極管(約0.01~200cm3)。入射粒子進入半導體探測器后...[繼續閱讀]
典型的半導體主要是由共價鍵結合的晶體。如硅、鍺的晶體具有金剛石結構(圖1),Ⅲ-Ⅴ化合物以及一些Ⅲ-Ⅵ化合物具有閃鋅礦結構(圖2)或纖鋅礦結構(圖3)。這些都是最典型的共價鍵結合的晶體結構,其中每個原子由四個共...[繼續閱讀]
在強電場作用下,半導體中載流子的平均動能顯著超過熱平衡載流子的平均動能。這種被顯著加熱了的載流子稱為熱載流子。有關現象通常稱熱電子現象?! ≡陔妶鲋?,載流子一方面從電場獲得能量,另一方面通過碰撞把所獲得...[繼續閱讀]
隧道效應──微觀粒子能透入按經典力學規律它不可能進入的勢壘區,是反映微觀粒子的波動性的一種基本效應??梢园寻雽w(或絕緣體)中的電子遷移現象理解為在外電場下,束縛在一個原子中的電子,通過隧道穿透勢壘,到...[繼續閱讀]
在強電場下,半導體中的載流子會被電場加熱(見半導體中的熱載流子),部分載流子可以獲得足夠高的能量,這些載流子有可能通過碰撞把能量傳遞給價帶上的電子,使之發生電離,從而產生電子-空穴對,這種過程稱為碰撞電離。...[繼續閱讀]