
 (1) 關鍵技術的突破。1)特高壓電力半導體器件電壓片厚比極大化設計理念,使晶閘管達到最高阻斷電壓。按常規理念,要使晶閘管達到一個極高的阻斷電壓(8500V),需要增加硅單晶的厚度。而器件物理原理表明,增加硅片厚度僅有利于獲取 (共 2215 字) [閱讀本文] >>
海量資源,盡在掌握
 (1) 關鍵技術的突破。1)特高壓電力半導體器件電壓片厚比極大化設計理念,使晶閘管達到最高阻斷電壓。按常規理念,要使晶閘管達到一個極高的阻斷電壓(8500V),需要增加硅單晶的厚度。而器件物理原理表明,增加硅片厚度僅有利于獲取 (共 2215 字) [閱讀本文] >>