半導體激光器有很強的溫度依賴關系,這是半導體材料本身的溫度敏感性導致的基本性質。從穩定性角度,這是它的弱點。但是,另一方面,可以利用溫度效應對半導體激光器的特性進行調整和控制。1) 閾值和功率的溫度關系隨著溫度...[繼續閱讀]
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半導體激光器有很強的溫度依賴關系,這是半導體材料本身的溫度敏感性導致的基本性質。從穩定性角度,這是它的弱點。但是,另一方面,可以利用溫度效應對半導體激光器的特性進行調整和控制。1) 閾值和功率的溫度關系隨著溫度...[繼續閱讀]
激光噪聲包括激光功率的隨機起伏、相位和頻率的起伏。激光相位和光頻之間存在基本關系ν(t)=(2π)-1d∅(t)/dt,它們的噪聲特性之間也存在內在的聯系。激光的發射功率在頻域有一個圍繞中心頻率的分布,稱為光譜線型。光譜線寬...[繼續閱讀]
激光的本征線寬源于自發輻射引入的隨機相位噪聲,也稱為量子相位噪聲。根據肖洛-湯斯的基本理論,本征激光線寬表示為δν=2πhν(δνc)2/P[39]。式中δνc為無源光腔的線寬,P為激光器的輸出功率。這是由于激光功率越大,隨機的自發輻...[繼續閱讀]
1) 強度噪聲及其抑制方法半導體激光器在電流直接注入下就可以工作,這是它的一大優點。但因此也使其輸出功率受到驅動電源噪聲和穩定性的直接影響,表現為大的強度噪聲。激光器的速率方程是決定強度噪聲特性的一個重要機理...[繼續閱讀]
1) 頻率穩定性的表征單頻半導體激光器的一個重要應用領域是作為頻率標準系統和精密測量裝置的光源。在這些應用中激光頻率穩定性是一個關鍵的性能指標。穩定性涉及較長使用周期內的特性,從頻域角度,也就是涉及在相應的低...[繼續閱讀]
[1]KresselH,ButlerJK.SemiconductorLasersandHeterojunctionLEDs[M].AcademicPress,1977.[2] CaseyHC,PanishMB.HeterostructureLasers[M].AcademicPress,1978.[3] PertermannK.LaserDiodeModulationandNoise[M].KluwerAcademicPublishers,1991. [4] OhtsuM.HighlyCoherentSe...[繼續閱讀]
1) 均勻光柵DFB激光器閾值條件耦合模理論是分析DFB激光器特性的基本方法[4~6]。根據這個理論,折射率和增益的周期性分布作為速率方程的微擾項考慮。有源區介質的折射率包含代表增益的虛部和周期為Λ的周期性微擾,表示為n(z...[繼續閱讀]
通常DFB激光器需要采用二步外延生長的工藝制作。目前半導體晶體最常用和成熟的生長方法是有機金屬化學汽相沉積(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,MBE)技術。首先在襯底(通常為N型半導體)上生長N型限...[繼續閱讀]
DFB激光器已經商品化,本小節介紹和討論DFB半導體激光器不同于F-P腔激光器的一些主要特性。1) 腔內場分布和速率方程3.1.1節討論了DFB激光器的閾值條件。它的閾值電流和輸出功率等特性與有源區的增益系數、載流子自發輻射壽命等...[繼續閱讀]
DFB激光器的光柵與有源區平行地制作在一起,兩者直接耦合,集成度很高,但是存在互相牽制、不能分別控制的問題。在器件結構設計和制備中,有時需要優化有源區,而不希望影響頻率選擇的光柵特性,或者優化后者而保持前者特性。這...[繼續閱讀]