如果將太陽電池p區和n區兩端斷開,前述載流子堆積過程將一直持續到兩端表面,n區一端積累電子,p區一端積累空穴,直到不能再堆積為止。這時我們從兩端可測到電壓,這個電壓稱開路電壓,Voc,以p區端為正,n區端為負。不難想象,這是太...[繼續閱讀]

    前面已介紹的基本參數包括:開路電壓Voc;短路電流Isc;漏電電阻Rsh;串聯電阻Rs。以下我們圍繞電池I-V輸出特性曲線介紹:最大功率Pm;能量轉換效率η;填充因子FF。還將介紹電池的物理特性參數:內、外量子效率IQE、EQE;溫度系數;反向飽和...[繼續閱讀]

    半導體器件內部各處電場強度E、電荷密度φ、電子與空穴濃度n和p、電子與空穴電流密度Jn和Jp、電子空穴對的產生率與復合率G和U之間關系都遵循一定的物理規律,體現為這些物理量之間的多個微分方程,其一維形式列寫并扼要注釋如...[繼續閱讀]

    這一節學習需要動手操作。請讀者先下載PC1D5.9,下載網址為:http://www.pv.unsw.edu.au/info-about/our-school/products-services/pc1d。該軟件不需安裝,單擊文件pc1d.exe按鈕即可運行。它可計算分析不同材料不同多層結構的太陽電池,并為用戶提供了一些...[繼續閱讀]

    依靠半導體p-n結的太陽電池將太陽光能量轉換為電能的效率受到幾項自然因素的局限。最突出的兩項相互關聯:一是太陽光有其固有光譜;二是半導體材料有其固有禁帶寬度。這兩大因素使得太陽光中波長大于吸收限λ0(見3.6節)的部分...[繼續閱讀]

    這些因素很多,可按光學損失、復合損失和電路損失來分類,也可從材料和工藝兩大方面來歸類。這里針對硅片太陽電池的技術性因素作了一個總結,如表4.1所示,包括各因素類屬、對電池效率造出的損失估計、和影響或控制它的因素...[繼續閱讀]

    表4.1中所列柵線遮蔽因素、柵線及其接觸電阻因素及載流子復合因素三者相互關聯,還涉及電池正面摻雜濃度與深度的優化選擇,從加深理論認識和加強技術掌握角度都十分值得對它們作進一步分析介紹。表4.1　晶體硅太陽電池能量轉...[繼續閱讀]

    本章在前一章(半導體物理基礎)的基礎上,先以通俗易懂的定性描述講述了半導體光伏發電原理,包括其兩個關鍵,內建電場驅動與濃差擴散傳輸;繼而推出太陽電池等效電路與輸出參數;然后介紹了太陽電池數學模型和一種數值求解軟件...[繼續閱讀]

    [1]　GREENMA.SolarCells—OperatingPrinciples,TechnologyandSystemApplications[M].Sidney:TheUniversityofNewSouthWales,1982.[2]　施敏(S.M.Sze),伍國玨(KwokK.NG).半導體器件物理(第3版)[M].耿莉,張瑞智,譯.西安:西安交通大學出版社,2008.[3]　NELSONJ.PhysicsofSolarCells[M].Lond...[繼續閱讀]

    硅材料是半導體工業中最重要和應用最廣泛的半導體材料,它既具有元素含量豐富、化學穩定性好、無環境污染等優點,又具有良好的半導體材料特性,從而成為現代電子工業和信息社會的基礎材料,其發展和應用直接促進了20世紀全球...[繼續閱讀]