傳統像素設計中,像素電極和掃描線以及數據線保持一定間距,目的是防止像素信號被掃描信號和數據信號干擾,但是間隙處會導致漏光,因此需在彩膜側對應位置增加BM進行遮光,而這又導致開口率的降低。JAS膜為有機膜,具有和光刻膠相...[繼續閱讀]

    非晶硅TFT使用CVD(化學氣相沉積),簡單理解就是把基板放入密封的反應室內向其輸入反應氣體,通過溫度、等離子體、光(UV)、電場等對分解氣體在不改變基板特性的情況下進行固態沉積。非晶硅成膜共分為以下4個階段:(1)自由電子活性...[繼續閱讀]

    上一問與大家聊過非晶硅TFT的制造工藝,這一問介紹一下LTPSTFT的制作工藝。a-SiTFT一般為底柵5Mask結構,而LTPSTFT由于底柵結構導致硅層中結晶性不佳,無法提高載流子遷移率,目前頂柵式LTPSTFT已是主流結構。LTPSTFT與a-SiTFT主要有兩點制程...[繼續閱讀]

    液晶顯示作為被動發光顯示器件,開口率[1]的大小決定著背光光線透過的多少,更大的開口率對應達到同樣面板亮度時,所需的背光亮度降低,即可以使用更少的背光源,在降低功耗的同時也節省了材料成本。首先來看無JAS的像素設計。如...[繼續閱讀]

    隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大,驅動電路的頻率不斷提高,現有的非晶硅薄膜晶體管的遷移率很難滿足需求。這是因為非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在0.5cm2/(V·s)左右,而液晶顯示器尺寸超過70英寸,驅動頻率在120Hz時就需要1cm2/(V·s...[繼續閱讀]

    在面板不良中,配線的斷線是常見的不良。在點燈檢查時,一般是使用面板周邊的修復線進行修復。而發生斷線有很多原因,其中一個原因是金屬配線的臺階覆蓋率(StepCoverage)太低。臺階覆蓋率的計算公式為該公式的示意圖如圖1所示。...[繼續閱讀]

    如圖1所示為ITO與Ti/Al金屬接觸圖案,其中金屬中心開孔,下方墊有半導體層。為什么不采用如圖2表示的簡單接觸孔樣式呢?圖1　ITO與Ti/Al金屬接觸孔圖2　理想ITO與Ti/Al金屬接觸孔如圖3所示,ITO與金屬Al直接接觸,但是Al膜會與ITO膜之間由于...[繼續閱讀]

    在液晶顯示像素中,需要在像素電極下方配置存儲電極,與像素電極之間形成存儲電容(如圖1所示)。圖1　液晶像素示意圖至于為什么需要設置存儲電容,很多教科書都有詳細的解釋,比較典型的是水桶原理。這個比喻看似形象卻很難準確...[繼續閱讀]

    ESD(ElectroStaticDischarge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀中期以來形成的以研究靜電的產生、危害及靜電防護等為主的學科,國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD。在大規模半導體制造業中,ESD一直扮演著重要角色,尤其對于TF...[繼續閱讀]

    圖1　單色亮線不良示意圖以TN模式液晶顯示屏幕為例,點燈檢查時在黑畫面下出現單色均一亮線不良(如圖1所示),稱為濃密D線。因為TN為常白模式,液晶層有電壓差時才會變為黑色,出現亮線是因為數據信號未灌入數據線中。由于亮線無...[繼續閱讀]