通過絕緣體(dielectricum)SiO2的開口(opening),外延橫向過度生長技術可以實現Si的擇優外延生長,如圖1.14(b)所示。通過熱氧化(thermaloxidation),得到的絕緣體SiO2具有掩蔽層(maskinglayer)的作用?；瘜W氣相沉積CVD的擇優特性來自于控制Si蝕刻和Cl氣...[繼續閱讀]

    外延晶體硅薄膜太陽能電池的優勢是低成本的Si襯底,已經有了基于單晶硅和多晶硅襯底的不少實驗室成果。在20世紀90年代,有數個實驗室報道了高摻雜單晶硅襯底上生長外延晶體硅薄膜太陽能電池的研究成果,證明了較高的轉換效率...[繼續閱讀]

    所謂的產業化太陽能電池(industrialsolarcell)是指大面積(>20cm2)太陽能電池,并且生產工藝類似于光伏產業的現有工藝。雖然生產外延晶體硅薄膜太陽能電池的基本工藝流程與生產經典晶體硅太陽能電池的工藝很相似,但是由于兩個原因...[繼續閱讀]

    將前柵線(frontgrid)作為接觸電極的外延晶體硅薄膜太陽能電池可以制備襯底配置或上層配置,而基于硅片的晶體硅太陽能電池有新穎的接觸電極形式。如果將這兩個概念集成在單一器件中,可以同時減小晶體硅太陽能電池的兩個主要的...[繼續閱讀]

    連續化學氣相沉積(ContinuousChemicalVaporDeposition,ConCVD)概念接近于目前多數晶體硅太陽能電池生產線使用的在線式工藝,該工藝非常適合大規模生產。ConCVD概念基于連續輸運晶片工藝,通過熱反應區域發生外延沉積。為了提高氣相Si到固相...[繼續閱讀]

    作為最近發展的大規模生產工藝,對流輔助化學氣相沉積(ConvectionassistedChemicalVaporDeposition,CoCVD)可以有效地使用熱對流,以控制反應腔中的氣體流動,并且通過對流回收未充分使用的氣體前驅物[90],如圖1.23所示。反應腔與水平方向的夾角...[繼續閱讀]

    雖然連續化學氣相沉積ConCVD和對流輔助化學氣相沉積CoCVD已經在大規模生產的可行性上取得了很大的進展,但是這兩種概念的可靠性和安全性仍然有待論證。微電子領域發展了分批式外延反應腔(batchtypeepitaxialreactor),用SiH4作為Si前驅物...[繼續閱讀]

    溫度差法(temperaturedifferencemethod,TDM)是一種有較好前景的準連續技術,可以在10cm×10cm的大面積多晶硅襯底上生長外延層,是液相外延LPE大規模生產研究的重要方向[95,96]。TDM先被用于為發光器件沉積Ⅲ-Ⅴ族半導體層(semiconductorlayer)[97]。與...[繼續閱讀]

    如果大規模生產的液相外延LPE采用連續的在線式工藝,比不上分批式工藝,因為溶解的Si會不斷地減少,需要在每一次外延生長后更換溶液。在分批式液相外延(batchtypeliquidphaseepitaxy)中,將16片襯底同時浸潤在“無限源”(infinitesource)中,使...[繼續閱讀]

    外延晶體硅薄膜太陽能電池不同于其他薄膜太陽能電池,更加接近于成熟的晶體硅太陽能電池,是基于硅片的太陽能技術向單片集成技術的過渡。雖然不一定有其他薄膜太陽能電池那么成功有效,外延晶體硅薄膜太陽能電池還是具有相...[繼續閱讀]